SiC 混合模塊
碳化硅（SiC）混合模塊是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模塊。它們的開關損耗比非混合模塊更低，工作溫度也高于其他類型的半導體。碳化硅混合模塊可用于要求低損耗的大功率應用。對于需要高頻開關的系統，碳化硅混合模塊的效率更高。
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VCES (V)
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650
-
1200
重置篩選
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IC (A)
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300
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450
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600
重置篩選
-
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VCE(sat) (V)
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1.40
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1.85
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1.90
重置篩選
-
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RthJC (K/W)
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0.048
-
0.065
-
0.25
重置篩選
-
-
Tjmax
-
175℃
重置篩選
-
-
Packages
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GHP
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GWB
重置篩選
-
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Type
|
VCES (V)
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IC (A)
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VCE(sat) (V)
|
RthJC (K/W)
|
Tjmax
|
Packages
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篩選
重置篩選 |
篩選
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篩選
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篩選
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篩選
重置篩選 |
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重置篩選 |
