車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 是指電動(dòng)汽車(chē)上驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器 MCU 中使用的功率變換器 件。車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 技術(shù)重視散熱以及產(chǎn)品性能，模塊封裝要求更高。IGBT 車(chē)規(guī)級(jí) 下游應(yīng)用對(duì)于封裝技術(shù)要求不同，其中車(chē)規(guī)級(jí)由于工作溫度高需要注重強(qiáng)振動(dòng)條 件，其封裝要求高于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)，

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，其 通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通； 反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。

IGBT 芯片是指結(jié)構(gòu)內(nèi)部有兩部分構(gòu)成，由 PNP 與 NPN 兩個(gè)三極管構(gòu)成 的推挽電路，以及結(jié)聯(lián)的 MOSFET 和 PIN 二極管。IGBT 的 IGBT 芯片由數(shù)萬(wàn) 個(gè)到數(shù)億不等的元胞構(gòu)成，在工藝上采用大規(guī)模集成電路技術(shù)和功率半導(dǎo)體器 件技術(shù)制造。

目 前 ， 在 微 芯 片 和 電 子 產(chǎn) 品 的 微 型 化 過(guò) 程 中 ， 有 兩 種 有 趣 的 封 裝 創(chuàng) 新 正 在 被 應(yīng) 用 。 一 種 是 結(jié) 合 了 兩 種 久 經(jīng) 考 驗(yàn) 的 技 術(shù) 的 新 概 念 ；另 一 種 是 幾 十 年 前 的 老 技 術(shù) ，它 正 在 以 新 的 方 式 被 人 們 使 用 。

由于寬禁帶半導(dǎo)體 SiC 的固有特征，以及不同于 Si 材料的半導(dǎo)體氧化 層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解 釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系，評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響，需要更 多的研究及探索。